2027年将迎来史上最严重内存荒？

2026年7月10日，SK海力士登陆纳斯达克当天，CEO郭鲁正发出警告：全球存储芯片行业将在2027年迎来史上最严重的供应短缺，客户需求超过产能的局面甚至可能持续到2030年之后。此前，美光CEO桑贾伊·梅赫罗特拉也表示，目前尚不清楚供应何时才能追上持续攀升的需求。英伟达创始人黄仁勋则判断，AI存储短缺将延续数年，SK海力士仍将是英伟达最大的存储供应商。

三位产业核心人物在几乎同一时间发出警告，这与过去几十年内存行业典型的周期性波动截然不同。以往，需求上升带动厂商扩产，产能释放后价格下跌，周期通常为2-3年。但这一轮，AI不仅制造新需求，还在压缩供给——HBM（高带宽内存）的爆发正在重塑供需结构。

从2023年开始，HBM需求快速上升。三星、SK海力士和美光三大存储厂商用于HBM的晶圆产能，从2023年底约12.3万片/月增至2025年底约33.1万片/月，预计2027年底达到约66.8万片/月。届时，HBM可能占三大厂商DRAM总晶圆产能的35%。然而，HBM并非普通DRAM：它需要更大的芯片面积、硅通孔、晶圆减薄、背面加工和复杂堆叠，制造难度更高，良率更低。以HBM3E 12层堆叠为例，同样一片晶圆，普通DRAM的比特产出约是HBM的3倍；进入HBM4后，差距可能扩大到接近4倍。

这意味着，厂商越积极转向HBM，普通DRAM反而越紧缺。SemiAnalysis预计，2026年至2027年，商品DRAM供应缺口可能持续约7%；HBM缺口则可能从2026年的约6%扩大至2027年的约9%。这是一场罕见的双重短缺：AI服务器争夺HBM，而PC、手机和通用服务器争夺剩余DRAM产能。

供应端难以迅速响应。新建先进存储晶圆厂需要数十亿美元投入和多年建设周期，洁净室、设备搬入、验证和良率爬坡都需要时间。2026年的新增产能主要集中在三星P4、SK海力士M15X和美光A3，而且后两者仍将优先服务HBM。真正大规模的新产能，可能要到2027年下半年才能逐步释放。

价格因此加速上涨。报告预计，2026年第一季度DDR5和LPDDR5合约价环比分别上涨70%和35%；按2025年四季度至2026年四季度计算，DRAM价格还可能再翻一倍。超级周期是一把双刃剑：存储厂商利润改善，但手机、PC和AI服务器厂商的物料成本持续上升，终端只能通过涨价、降配或削减出货量来消化压力。

真正决定周期何时结束的，不只是需求放缓，而是新晶圆厂投产、1b与1c节点迁移、HBM4良率提升，以及厂商是否再次失去资本纪律。至少目前看，这轮由AI推动的内存周期，可能比过去更大，也更久。

约束条件还包括：新产能释放时间点在2027年下半年，届时HBM占产能比例可能更高；若HBM4良率提升慢于预期，普通DRAM的挤出效应将持续。不确定性在于：AI需求增速是否放缓、厂商是否会过度扩产导致下一轮过剩，以及地缘政治对供应链的影响。